碳化硅器件测试

碳化硅器件测试

主要技术参数：IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V
Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可调(可选择4档及外接)
负载：感性负载阻性负载可切换
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
电阻范围：0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on): 20nS -10uS      
上升时间tr:    20nS -10uS
开通能量Eon：  0.1-1000mJ                 
关断延迟时间td(off)：20 nS -10uS   
下降时间 tf： 20nS -10uS                    
关断能量Eoff：0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件：正向电流IF：50A～1000A                                                                                                                                 反向电压 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us   ；负载：感性负载可选
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr：20nS -2uS ；反向恢复电荷Qc：10nC~10uC；反向恢复电流Irm：50A~1000A反向恢复损耗  Erec：0.1mJ～1000mJ国内唯 一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。